مولفه های الکتریکی وابسته به دما در ولتاژ بالا AlGaN/GaN-on-Si HEMT با تماس های درین اهمیک و اسکاتی
چکیده
در این کار ما نتایج پارامتر های الکتریکی و مولفه های ولتاژ بالا AlGaN/GaN را برای ترانزیستورهای موبیلیتی الکترون بالا را ارائه می دهیم که با الکترود های درین اسکاتی و اهمیک روی زیر ساخت سیلیکون کار می کند . استفاده از تماس درین – اسکاتی منجر به پیشرفت ولتاژ VBR می باشد و در آن VBR=900v برای LGD=20 میکرو متر در مقابل VBR=505v برای تماس های درین – اهمیک می باشد . در هردو نوع ترانزیستور چگالی جریان درین 500 mA/mm و چگالی نشتی 10 میکروآمپر / میلی متر می باشد . مولفه های وابسته دمایی در این جا در چگالی جریان درین با افزایش دما منجر به کاهش می شود . HEMT های اسکاتی – درین در این جا با افزایش پایین تر Ron مشخص می شود . (در دمای 200 درجه سانتی گراد ) که در مقایسه با تماس درین اهمیک قرار می گیرد . ( در دمای 200 درجه سانتی گراد ) و مرتبط با دمای اتاق بوده و در ولتاژ HEMT اسکاتی درین کاهش می یابد.
برای مطالعه این مقاله به طور کامل و با پرداخت فقط 10000 ریال و ارسال آن از جانب ما برای شما
لطفا تماس بگیرید:
a.hedayat1369@gmail.com
