در هم شکنندگی بالا ی نشتی پایین HEMT – LED مجتمع از طریق الکترود n-GaN

چکیده : ما گزارشاتی روی شرایط جانبی دیود انتشار نور InGaN/GaN (LED) و یک ترانزیستور موبیلیتی الکترون بالا AlGaN/GaN (HEMT) از طریق لایه همبافته ارائه می دهیم . تماس مستقیم کانال HEMT و الکترود n-GaN روی LED اجازه می دهد تا LED جریان را کنترل کرده و دستگاه ولتاژ را از طریق بایاس گیت و درین نیز کنترل نماید . HEMT-LED مجتمع در یک توان خروجی نور 7 مگاوات از LED با یک تزریق جریان مدوله شده 80 میلی آمپر HEMT می باشد . (VDD=8 , V , VGS=1V) ولتاژ شکست حالت off برای HEMT-LED مجتمع 530 ولت و 270 ولت و شرایط بایاس مستقیم و معکوس به ترتیب می باشد . مولفه های بالاتر روی طرح بافر GaN/AIN قرار گرفته و کیفیت کریستال بالاتر و هم چنین شبیه سازی مقاومتی بزرگ تری دارد .

led

برای مطالعه این مقاله به طور کامل و ارسال آن از جانب ما برای شما فقط با پرداخت 10000 تومان لطفا تماس بگیرید.

a.hedayat1369@gmail.com

www.faraelm.org